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HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 15N100Q
IXFK 15N100Q
IXFT 15N100Q
V DSS =
I D25 =
R DS(on) =
t rr ≤ 250 ns
1000 V
15 A
0.7 ?
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary data sheet
TO-247 AD (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
(TAB)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
1000
1000
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
TO-268 (D3) ( IXFT)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
15
60
15
45
1.5
5
A
A
A
mJ
J
V/ns
G
TO-264 AA (IXFK)
S
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
G
D
S
D (TAB)
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
S = Source
TAB = Drain
M d
Mounting torque
TO-247
TO-264
1.13/10 Nm/lb.in.
0.9/6 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
TO-268
TO-264
4
10
g
g
Features
IXYS advanced low Q g process
International standard packages
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Low R DS (on) low Q g
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
1000
V
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic rectifier
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
50
2
V
nA
μ A
mA
Advantages
Easy to mount
Space savings
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.7
?
High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
98627A (9/01)
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